手机元器件：3G需求是热点

作者：   来源：   时间：2007-03-22 10:21:00.0

    近两年来，手机用的模块和分立元器件全面发展，技术创新卓
有成效，特别是3G芯片在提高数据处理速度、增强多媒体能力、发展
多模功能、提高集成度等方面都有明显进展，使3G手机的高速数据传
输与移动多媒体等功能愈加完善。

　　功放模块

　　GSM三频功放模块Si4300T，整合了功率放大器、功率控制、
保护电路、滤波和匹配电路，体积为3.9mm×6.4mm×1.3mm，
其中的功率放大器较早采用了CMOS工艺。WCDMA功放模块的典型产
品，如适用于1920MHz～1980MHz频段的功放模块，最高效率可达
42%，外形尺寸为3mm×3mm×0.9mm；适用于UMTS 2100MHz频段的
功放模块，输出功率为+28.5dBm，最高效率可达45%，外形尺寸为
4mm×4mm×1.1mm。

　　射频前端模块

　　手机的射频部分已可集成为单芯片，或与基带一起集成为单芯片，
但在射频前端，还有功放模块、双工器和SAW滤波器等元器件。为了
简化手机设计和减小安装面积，常采用LTCC工艺制成射频前端模块。
具有代表性的产品是支持HSDPA的WCDMA手机前端模块，该产品在
5mm×8mm×1.2mm的封装内集成了功放、双工器、功率检测器和滤
波器，与采用分立元器件相比，缩小了约50%的安装面积。CDMA手机
的前端模块，外形尺寸为4mm×7mm×1.2mm。

　　CMOS射频开关

　　手机用的射频开关，通常是用GaAs制造，近年来开发的CMOS射频
开关，可提供与GaAs相同的性能，工作频率达3GHz频段。PE4261是
-种双频GSM用的单片四掷(SP4T)开关，PE4263是一种四频GSM
用的单片六掷(SP6T)开关，插损和隔离度指标如下：900MHz时
分别为0.55dB和45dB，1.9GHz时分别为0.65dB和40dB，最大
开关时间为3ns。

　　SAW与BAW

    Murata近年来开发的几种SAW器件可代表目前的国外水平。SAFEB
系列SAW滤波器的外形尺寸为1.35mm×1.05mm×0.6mm，比原
先的产品减小了44%，重量为3mg，该系列在800MHz至2GMHz的各
移动通信系统的工作频段都有相应的规格。SAWEP系列双SAW滤波器
的外形尺寸为2.0mm×1.6mm×0.6mm，比原先产品的安装面积
减小64%，重量为6mg。Murata的新产品CDMA800 SAW双工器，收、
发通道插损分别为3.3dB和2.1dB，隔离度分别为45dB和57dB。
用于IMT-20001.7GMHz的SAW双工器外形尺寸为3.0mm×2.5mm×0.8mm，
具有较低的插损和较高的隔离度。以上产品都可使用无铅焊料，回流
焊温度峰值可至260℃。
　　由于SAW滤波器2GHz以上的插损较大，BAW(体声波)滤波器因可用
于10GHz以上而受到关注。BAW滤波器的性能优于SAW滤波器和介质
滤波器，可减小插损和外形尺寸，目前虽然尚未在手机中大量使用，
但在2GHz以上的频段应有较好的应用前景。

　　MLCC

　　MLCC的发展方向仍是通过制造更薄的介质薄膜和采用先进的多层
技术，进一步减小外形尺寸和增大电容量。以往，电极间的距离极限
约为1μm，TDK已开发出粒径为0.2μm的精细材料粉末，从而实现了
电极间距在1μm以下的薄膜多层结构，可大幅度增加比容，以1.6mm
×0.8mm规格的产品为例，电容量从4.7μF增加到10μF。同时还开
发出0.4mm×0.2mm规格的产品，现正开发电极间距为0.5μm，叠
片层数超过1000层的产品。
　　近10年来，Murata将MLCC的介质厚度从4μm减小到1μm以下，
叠片层数从200层增加到1400层，比容大幅度提高。现有多家厂商可
提供100μF的MLCC。

　　超小型片状电感器

    Murata的LQW04A系列超小型高频线绕片状电感器，电感量范围
为1.1nH～22nH，外形尺寸(EIA03015)为0.8mm×0.4mm×0.
4mm，安装面积比EIA0402减小了40%，高度降低了0.4mm。另
一种超小型薄膜片状电感器，电感量范围为0.4nH～10nH，外形尺
寸(01005EIA)为0.4mm×0.2mm×0.2mm，安装面积比0201
EIA减小了40%。这两种片状电感具有较好的高频特性。